Справочник MOSFET. EC8812

 

EC8812 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EC8812
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для EC8812

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EC8812 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  eternal
 ec8812.pdf pdf_icon

EC8812

Eternal Semiconductor Inc.EC8812Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.5A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max 16@ VGS = 4.5V, ID=6.5A20V 6.5A 17 @ VGS = 4.0V, ID=6A 24 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package ESD Protected 1KV LeadPb-f

Другие MOSFET... DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , 8205A , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 .

History: VBZA4409 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | 2SK1323 | CS10N65FA9HD | APT5015BVFRG | CJAC110SN10

 

 
Back to Top

 


 
.