EC8812 - описание и поиск аналогов

 

EC8812. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EC8812

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для EC8812

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EC8812 даташит

 ..1. Size:337K  eternal
 ec8812.pdf pdf_icon

EC8812

Eternal Semiconductor Inc. EC8812 Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.5A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Max 16@ VGS = 4.5V, ID=6.5A 20V 6.5A 17 @ VGS = 4.0V, ID=6A 24 @ VGS = 2.5V, ID=5.2A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package ESD Protected 1KV Lead Pb -f

Другие MOSFET... DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , IRFP260 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 .

History: E10P02 | SI4447DY | APQ02SN65AH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.