EM8810 Todos los transistores

 

EM8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EM8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 800 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de EM8810 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

EM8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  eternal
em8810.pdf pdf_icon

EM8810

Eternal Semiconductor Inc.EM8810Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 7A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 15 @ VGS = 4.5V, ID=7A 16@ VGS = 4.0V, ID=7A20V 7.0A 16.5@ VGS = 3.7V, ID=5.5A18 @ VGS = 2.5V, ID=5.5AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb

Otros transistores... FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , 2SK3568 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 .

History: NCE70N600 | S10H16RN | IPD048N06L3 | IXTH30N50P | IXFX180N15P

 

 
Back to Top

 


 
.