EM8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EM8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 800 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EM8810

EM8810 Datasheet (PDF)

..1. Size:596K eternal
em8810.pdf

Eternal Semiconductor Inc.EM8810Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 7A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 15 @ VGS = 4.5V, ID=7A 16@ VGS = 4.0V, ID=7A20V 7.0A 16.5@ VGS = 3.7V, ID=5.5A18 @ VGS = 2.5V, ID=5.5AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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