EM8810 - аналоги и даташиты транзистора

 

EM8810 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: EM8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 800 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для EM8810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EM8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  eternal
 em8810.pdf pdf_icon

EM8810

Eternal Semiconductor Inc.EM8810Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 7A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 15 @ VGS = 4.5V, ID=7A 16@ VGS = 4.0V, ID=7A20V 7.0A 16.5@ VGS = 3.7V, ID=5.5A18 @ VGS = 2.5V, ID=5.5AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb

Другие MOSFET... FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , 2SK3568 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 .

History: TPCA8109 | PNMTO600V5 | STM4806 | NCEAP60T20D | DADMH040N120Z1B | L2SK3019LT1G

 

 
Back to Top

 


 
.