EN2300 Todos los transistores

 

EN2300 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EN2300

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de EN2300 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

EN2300 datasheet

 ..1. Size:444K  eternal
 en2300.pdf pdf_icon

EN2300

Eternal Semiconductor Inc. EN2300 N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 5.4A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Tpy. 23 @ VGS = 4.0V, ID=5.4A 20V 5.4A 30 @ VGS = 2.5V, ID=4.3A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23 package Lead Pb -free and halogen-free Drain EN2300 Pin Assignment & Symb

 9.1. Size:653K  cet
 cen2307a.pdf pdf_icon

EN2300

CEN2307A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -3.2A, RDS(ON) = 78m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-23 package. G D S G S SOT-23-T ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Lim

 9.2. Size:416K  cet
 cen2301.pdf pdf_icon

EN2300

CEN2301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -2.7A, RDS(ON) = 110m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 160m @VGS = -2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead-free plating ; RoHS compliant. SOT-23-T package. G D S G S SOT-23-T ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units

 9.3. Size:339K  eternal
 en2301.pdf pdf_icon

EN2300

Eternal Semiconductor Inc. EN2301 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.8A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Typ. 85 @ VGS = -4.5V,ID=-2.8A -20V -2.8A 105 @ VGS = -2.5V,ID=-2.0A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23 package Lead Pb -free and halogen-free EN2301 Pin Assignment & Symbol

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , SPP20N60C3 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K .

History: ZXMP6A17G | IRFU3707ZPBF | RUH120N140T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.