ES4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ES4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOP8
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ES4953 datasheet
es4953.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ES4953 Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )TYP 49 @VGS = -10V,ID=-5.3A -30V -5.3A 68@VGS = -4.5V,ID=-3.9A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Lead Pb -free and halogen-free TOP Marking 8 7 6 5 P
Otros transistores... SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , AON7410 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 .
History: FDN335N-NL | 2N3382
History: FDN335N-NL | 2N3382
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