ES4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ES4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de ES4953 MOSFET
ES4953 Datasheet (PDF)
es4953.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ES4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 49 @VGS = -10V,ID=-5.3A-30V -5.3A68@VGS = -4.5V,ID=-3.9AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking8765 P
Otros transistores... SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , 5N60 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 .
History: SI3481DV | SML1001RHN | 4N60F | FDP52N20 | SDF120NA20HI | 2SK3835
History: SI3481DV | SML1001RHN | 4N60F | FDP52N20 | SDF120NA20HI | 2SK3835



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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