ES4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ES4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.9 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 3.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ES4953
ES4953 Datasheet (PDF)
..1. Size:443K eternal
es4953.pdf
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Eternal Semiconductor Inc.ES4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 49 @VGS = -10V,ID=-5.3A-30V -5.3A68@VGS = -4.5V,ID=-3.9AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking8765 P
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