ES4953 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ES4953
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ES4953
ES4953 Datasheet (PDF)
es4953.pdf
Eternal Semiconductor Inc.ES4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 49 @VGS = -10V,ID=-5.3A-30V -5.3A68@VGS = -4.5V,ID=-3.9AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking8765 P
Другие MOSFET... SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , AON7410 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 .
History: WSD4038DN | AP15P06D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530


