ES4953 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ES4953
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ES4953
ES4953 Datasheet (PDF)
es4953.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ES4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 49 @VGS = -10V,ID=-5.3A-30V -5.3A68@VGS = -4.5V,ID=-3.9AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking8765 P
Другие MOSFET... SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , RFP50N06 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 .
History: FS20KM-5 | GWM13S65YRE | SJMN070R60SW | SWP058R72E7T | LNTR4003NLT1G | 2SK1958
History: FS20KM-5 | GWM13S65YRE | SJMN070R60SW | SWP058R72E7T | LNTR4003NLT1G | 2SK1958



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530