ES9435 Todos los transistores

 

ES9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ES9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de ES9435 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ES9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  eternal
 es9435.pdf pdf_icon

ES9435

Eternal Semiconductor Inc.ES9435P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 50 @ VGS = -10 V, ID=-5.3A -30V -5.3A70 @ VGS = -4.5V, ID=-4.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM

Otros transistores... EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , 12N60 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 .

History: STD60N55F3 | DMTH6004SCT | DMTH10H010LCT

 

 
Back to Top

 


 
.