ES9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ES9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ES9435
ES9435 Datasheet (PDF)
es9435.pdf
Eternal Semiconductor Inc.ES9435P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 50 @ VGS = -10 V, ID=-5.3A -30V -5.3A70 @ VGS = -4.5V, ID=-4.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM
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Liste
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