ES9435 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ES9435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ES9435
ES9435 Datasheet (PDF)
es9435.pdf
Eternal Semiconductor Inc.ES9435P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 50 @ VGS = -10 V, ID=-5.3A -30V -5.3A70 @ VGS = -4.5V, ID=-4.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM
Другие MOSFET... EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , 12N60 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 .
History: 2SK3570-Z | CM20N60F | 2SK3571-S | 2SJ602-S | IRF251
History: 2SK3570-Z | CM20N60F | 2SK3571-S | 2SJ602-S | IRF251
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565


