ES9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ES9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de ES9926 MOSFET
ES9926 Datasheet (PDF)
es9926.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ES9926Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max22 @ VGS = 4.5V, ID=6.0A20V 6.0A26 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeAbsolute Maximum Ratings
Otros transistores... EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , 4435 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 .
History: SH8M13 | SWB062R08E8T | IXFX100N65X2 | PMCM6501VPE | AOWF8N50 | STD3NM50T4 | NP88N03KDG
History: SH8M13 | SWB062R08E8T | IXFX100N65X2 | PMCM6501VPE | AOWF8N50 | STD3NM50T4 | NP88N03KDG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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