ES9926 Todos los transistores

 

ES9926 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ES9926

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP8

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ES9926 datasheet

 ..1. Size:381K  eternal
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ES9926

Eternal Semiconductor Inc. ES9926 Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.0A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Max 22 @ VGS = 4.5V, ID=6.0A 20V 6.0A 26 @ VGS = 2.5V, ID=5.2A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Lead Pb -free and halogen-free Absolute Maximum Ratings

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History: IRFU3708PBF | BSC0911ND

 

 

 


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