ES9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ES9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ES9926

ES9926 Datasheet (PDF)

..1. Size:381K eternal
es9926.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ES9926Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max22 @ VGS = 4.5V, ID=6.0A20V 6.0A26 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeAbsolute Maximum Ratings

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Liste

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