ES9926 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ES9926
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ES9926
ES9926 Datasheet (PDF)
es9926.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ES9926Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max22 @ VGS = 4.5V, ID=6.0A20V 6.0A26 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeAbsolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , 4435 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 .
History: BLS6G2933P-200 | IXTF1N450 | IPB025N08N3G | PSA13N50 | FCP600N65S3R0 | FCMT180N65S3
History: BLS6G2933P-200 | IXTF1N450 | IPB025N08N3G | PSA13N50 | FCP600N65S3R0 | FCMT180N65S3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n