Справочник MOSFET. ES9926

 

ES9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ES9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ES9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ES9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  eternal
 es9926.pdf pdf_icon

ES9926

Eternal Semiconductor Inc.ES9926Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max22 @ VGS = 4.5V, ID=6.0A20V 6.0A26 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeAbsolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , 4435 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 .

History: SSM2030SD | SWB062R08E8T | MTN3820F3 | PMCM6501VPE | WFF2N65B | NTMFD6H846NL | 2SK1722

 

 
Back to Top

 


 
.