ES9926 - описание и поиск аналогов

 

ES9926. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ES9926

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ES9926

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ES9926 даташит

 ..1. Size:381K  eternal
 es9926.pdf pdf_icon

ES9926

Eternal Semiconductor Inc. ES9926 Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.0A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Max 22 @ VGS = 4.5V, ID=6.0A 20V 6.0A 26 @ VGS = 2.5V, ID=5.2A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Lead Pb -free and halogen-free Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , 5N65 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 .

History: DMJ70H1D0SV3 | 1D5N60 | AGM60P90D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.