ET2316 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET2316
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de ET2316 MOSFET
ET2316 Datasheet (PDF)
et2316.pdf

Eternal Semiconductor Inc. ET2316N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ10@ VGS = 4.5V,ID=8A20V 8A15@ VGS = 2.5V,ID=5AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeET2316 Pin Assignment & Symbol3-Lead Plastic SOT-23-3LPin
Otros transistores... EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , TK10A60D , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 .
History: FA57SA50LCP | AOCA24106E | SM2202NSQG
History: FA57SA50LCP | AOCA24106E | SM2202NSQG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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