Справочник MOSFET. ET2316

 

ET2316 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ET2316
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ET2316

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ET2316 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:682K  eternal
 et2316.pdf pdf_icon

ET2316

Eternal Semiconductor Inc. ET2316N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ10@ VGS = 4.5V,ID=8A20V 8A15@ VGS = 2.5V,ID=5AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeET2316 Pin Assignment & Symbol3-Lead Plastic SOT-23-3LPin

Другие MOSFET... EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , IRF530 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 .

History: NVGS3130N | NTMFS4939NT1G | AP9435GP-HF | RS1G120MN | TPB70R950C | CS10N60A8HD | FDP8N50NZU

 

 
Back to Top

 


 
.