ET2316 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ET2316
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для ET2316
ET2316 Datasheet (PDF)
et2316.pdf

Eternal Semiconductor Inc. ET2316N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ10@ VGS = 4.5V,ID=8A20V 8A15@ VGS = 2.5V,ID=5AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeET2316 Pin Assignment & Symbol3-Lead Plastic SOT-23-3LPin
Другие MOSFET... EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , IRF530 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 .
History: SIHFIBF30G | NTLUS4C12N | IRLR8103VPBF | IRFIB6N60APBF
History: SIHFIBF30G | NTLUS4C12N | IRLR8103VPBF | IRFIB6N60APBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet