Справочник MOSFET. ET2316

 

ET2316 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ET2316
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ET2316 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:682K  eternal
et2316.pdfpdf_icon

ET2316

Eternal Semiconductor Inc. ET2316N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ10@ VGS = 4.5V,ID=8A20V 8A15@ VGS = 2.5V,ID=5AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeET2316 Pin Assignment & Symbol3-Lead Plastic SOT-23-3LPin

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MCQ15N10Y | OSG55R140FF | 2SK3572-Z | DMNH6042SK3 | MNT-LB32N16 | SI2306BDS | SM6A07NSFP

 

 
Back to Top

 


 
.