ET2N7002K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET2N7002K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30(max) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de ET2N7002K MOSFET
ET2N7002K Datasheet (PDF)
et2n7002k.pdf

Eternal Semiconductor Inc. ET2N7002KN-Channel High Density Trench MOSFET (60V,0.5A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ2.5 @ VGS = 10V, ID=0.5A60V 500mA3.0 @ VGS = 5V, ID=0.05AFeatures High speed switch Advanced Trench Process Technology SOT-23 package ESD protected up to 2KV LeadPb-free and halogen-freeDrainET2N7002K Pin Assignment & Symbo
Otros transistores... EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , AON7506 , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 .
History: HGP200N10SL | IRFIB6N60APBF | STS8201 | IRLR8103VPBF | UT3N10G-AB3-R | ET2316 | FS10KM-5
History: HGP200N10SL | IRFIB6N60APBF | STS8201 | IRLR8103VPBF | UT3N10G-AB3-R | ET2316 | FS10KM-5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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