ET2N7002K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ET2N7002K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30(max) pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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ET2N7002K Datasheet (PDF)

..1. Size:856K eternal
et2n7002k.pdf

Eternal Semiconductor Inc. ET2N7002KN-Channel High Density Trench MOSFET (60V,0.5A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ2.5 @ VGS = 10V, ID=0.5A60V 500mA3.0 @ VGS = 5V, ID=0.05AFeatures High speed switch Advanced Trench Process Technology SOT-23 package ESD protected up to 2KV LeadPb-free and halogen-freeDrainET2N7002K Pin Assignment & Symbo

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Liste

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