ET2N7002K Todos los transistores

 

ET2N7002K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ET2N7002K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ET2N7002K datasheet

 ..1. Size:856K  eternal
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ET2N7002K

Eternal Semiconductor Inc. ET2N7002K N-Channel High Density Trench MOSFET (60V,0.5A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Typ 2.5 @ VGS = 10V, ID=0.5A 60V 500mA 3.0 @ VGS = 5V, ID=0.05A Features High speed switch Advanced Trench Process Technology SOT-23 package ESD protected up to 2KV Lead Pb -free and halogen-free Drain ET2N7002K Pin Assignment & Symbo

Otros transistores... EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , IRFB3607 , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 .

History: FDS6675B | IRFU3704 | RU6035M3

 

 

 

 

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