Справочник MOSFET. ET2N7002K

 

ET2N7002K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ET2N7002K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ET2N7002K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ET2N7002K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  eternal
 et2n7002k.pdf pdf_icon

ET2N7002K

Eternal Semiconductor Inc. ET2N7002KN-Channel High Density Trench MOSFET (60V,0.5A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ2.5 @ VGS = 10V, ID=0.5A60V 500mA3.0 @ VGS = 5V, ID=0.05AFeatures High speed switch Advanced Trench Process Technology SOT-23 package ESD protected up to 2KV LeadPb-free and halogen-freeDrainET2N7002K Pin Assignment & Symbo

Другие MOSFET... EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , AON7506 , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 .

History: BL6N70A-P

 

 
Back to Top

 


 
.