ET2N7002K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ET2N7002K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 30(max) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для ET2N7002K
ET2N7002K Datasheet (PDF)
et2n7002k.pdf

Eternal Semiconductor Inc. ET2N7002KN-Channel High Density Trench MOSFET (60V,0.5A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ2.5 @ VGS = 10V, ID=0.5A60V 500mA3.0 @ VGS = 5V, ID=0.05AFeatures High speed switch Advanced Trench Process Technology SOT-23 package ESD protected up to 2KV LeadPb-free and halogen-freeDrainET2N7002K Pin Assignment & Symbo
Другие MOSFET... EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , AON7506 , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 .
History: STD4NK50Z | STS8201 | ET2316 | IRLR8103VPBF | SWP066R68E7T | IRFIB6N60APBF | FS10KM-5
History: STD4NK50Z | STS8201 | ET2316 | IRLR8103VPBF | SWP066R68E7T | IRFIB6N60APBF | FS10KM-5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor