ET6310 Todos los transistores

 

ET6310 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ET6310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-EP1
 

 Búsqueda de reemplazo de ET6310 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ET6310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  eternal
 et6310.pdf pdf_icon

ET6310

Eternal Semiconductor Inc.ET6310N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 85A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 1.9 @ VGS = 10V, ID=20A30V 852.7 @ VGS = 4.5V, ID=20AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Low gate charge Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeApplicat

 9.1. Size:667K  eternal
 et6314.pdf pdf_icon

ET6310

Eternal Semiconductor Inc.ET6314Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V,28A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.8.5 @ VGS = 10V, ID=20A30V 28A 13@ VGS = 4.5V, ID=10AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking ET6314 XXX

Otros transistores... ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , IRFP450 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 .

History: SUM1960NE

 

 
Back to Top

 


 
.