ET6310 - описание и поиск аналогов

 

ET6310. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ET6310

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-EP1

Аналог (замена) для ET6310

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ET6310 даташит

 ..1. Size:494K  eternal
 et6310.pdf pdf_icon

ET6310

Eternal Semiconductor Inc. ET6310 N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 85A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 1.9 @ VGS = 10V, ID=20A 30V 85 2.7 @ VGS = 4.5V, ID=20A Features Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Low gate charge Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Lead Pb -free and halogen-free Applicat

 9.1. Size:667K  eternal
 et6314.pdf pdf_icon

ET6310

Eternal Semiconductor Inc. ET6314 Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V,28A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 8.5 @ VGS = 10V, ID=20A 30V 28A 13@ VGS = 4.5V, ID=10A Features Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Lead Pb -free and halogen-free TOP Marking ET6314 XXX

Другие MOSFET... ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , IRFP450 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 .

History: JMSH0606PU | BSZ010NE2LS5 | ET8818 | RF4E070GN | ASDM30N90KQ | SMT8N60 | HP3510P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.