Справочник MOSFET. ET6310

 

ET6310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ET6310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-EP1
 

 Аналог (замена) для ET6310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ET6310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  eternal
 et6310.pdf pdf_icon

ET6310

Eternal Semiconductor Inc.ET6310N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 85A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 1.9 @ VGS = 10V, ID=20A30V 852.7 @ VGS = 4.5V, ID=20AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Low gate charge Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeApplicat

 9.1. Size:667K  eternal
 et6314.pdf pdf_icon

ET6310

Eternal Semiconductor Inc.ET6314Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V,28A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.8.5 @ VGS = 10V, ID=20A30V 28A 13@ VGS = 4.5V, ID=10AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking ET6314 XXX

Другие MOSFET... ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , IRF1407 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 .

 

 
Back to Top

 


 
.