ET6314 Todos los transistores

 

ET6314 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ET6314
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
     - Selección de transistores por parámetros

 

ET6314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  eternal
 et6314.pdf pdf_icon

ET6314

Eternal Semiconductor Inc.ET6314Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V,28A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.8.5 @ VGS = 10V, ID=20A30V 28A 13@ VGS = 4.5V, ID=10AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking ET6314 XXX

 9.1. Size:494K  eternal
 et6310.pdf pdf_icon

ET6314

Eternal Semiconductor Inc.ET6310N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 85A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 1.9 @ VGS = 10V, ID=20A30V 852.7 @ VGS = 4.5V, ID=20AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Low gate charge Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeApplicat

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ362 | PMN50UPE

 

 
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