ET6314 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET6314
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: PDFN3333
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ET6314 datasheet
et6314.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ET6314 Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V,28A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 8.5 @ VGS = 10V, ID=20A 30V 28A 13@ VGS = 4.5V, ID=10A Features Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Lead Pb -free and halogen-free TOP Marking ET6314 XXX
et6310.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ET6310 N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 85A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 1.9 @ VGS = 10V, ID=20A 30V 85 2.7 @ VGS = 4.5V, ID=20A Features Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Low gate charge Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Lead Pb -free and halogen-free Applicat
Otros transistores... ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , TK10A60D , ET8205 , ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 .
History: ZXMS6006SG
History: ZXMS6006SG
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