Справочник MOSFET. ET6314

 

ET6314 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ET6314
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ET6314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  eternal
 et6314.pdf pdf_icon

ET6314

Eternal Semiconductor Inc.ET6314Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V,28A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.8.5 @ VGS = 10V, ID=20A30V 28A 13@ VGS = 4.5V, ID=10AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking ET6314 XXX

 9.1. Size:494K  eternal
 et6310.pdf pdf_icon

ET6314

Eternal Semiconductor Inc.ET6310N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 85A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 1.9 @ VGS = 10V, ID=20A30V 852.7 @ VGS = 4.5V, ID=20AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Low gate charge Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeApplicat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP6NK90Z | NCE0103M | OSG95R500HF | TPV65R170M | FDBL86366F085 | VS5814DS | MGSF1N03LT1G

 

 
Back to Top

 


 
.