ET8818 Todos los transistores

 

ET8818 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ET8818
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3-6L
 

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ET8818 Datasheet (PDF)

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ET8818

Eternal Semiconductor Inc.ET8818Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V,10A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ7.2 @ VGS =4.5V, ID=10A20V 10A 7.5 @ VGS = 4.0V, ID=5A 11@ VGS = 2.5V, ID=2.5AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability ESD Rating:2000V HBM LeadPb-f

Otros transistores... ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , STF13NM60N , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , GM4953 .

 

 
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