ET8818 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET8818
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
Encapsulados: DFN2X3-6L
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ET8818 datasheet
et8818.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ET8818 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V,10A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ 7.2 @ VGS =4.5V, ID=10A 20V 10A 7.5 @ VGS = 4.0V, ID=5A 11@ VGS = 2.5V, ID=2.5A Features Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability ESD Rating 2000V HBM Lead Pb -f
Otros transistores... ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , IRFP250 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , GM4953 .
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