ET8818 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET8818
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X3-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ET8818
ET8818 Datasheet (PDF)
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Eternal Semiconductor Inc.ET8818Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V,10A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ7.2 @ VGS =4.5V, ID=10A20V 10A 7.5 @ VGS = 4.0V, ID=5A 11@ VGS = 2.5V, ID=2.5AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability ESD Rating:2000V HBM LeadPb-f
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
