Справочник MOSFET. ET8818

 

ET8818 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ET8818
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3-6L
 

 Аналог (замена) для ET8818

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ET8818 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  eternal
 et8818.pdf pdf_icon

ET8818

Eternal Semiconductor Inc.ET8818Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V,10A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ7.2 @ VGS =4.5V, ID=10A20V 10A 7.5 @ VGS = 4.0V, ID=5A 11@ VGS = 2.5V, ID=2.5AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability ESD Rating:2000V HBM LeadPb-f

Другие MOSFET... ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , STF13NM60N , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , GM4953 .

History: AM40P10-200P | IPD082N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.