ET8818 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ET8818
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
Тип корпуса: DFN2X3-6L
ET8818 Datasheet (PDF)
..1. Size:926K eternal
et8818.pdf
et8818.pdf
Eternal Semiconductor Inc.ET8818Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V,10A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ7.2 @ VGS =4.5V, ID=10A20V 10A 7.5 @ VGS = 4.0V, ID=5A 11@ VGS = 2.5V, ID=2.5AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability ESD Rating:2000V HBM LeadPb-f
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
