ET8818 - описание и поиск аналогов

 

ET8818. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ET8818

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3-6L

Аналог (замена) для ET8818

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ET8818 даташит

 ..1. Size:926K  eternal
 et8818.pdf pdf_icon

ET8818

Eternal Semiconductor Inc. ET8818 Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V,10A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ 7.2 @ VGS =4.5V, ID=10A 20V 10A 7.5 @ VGS = 4.0V, ID=5A 11@ VGS = 2.5V, ID=2.5A Features Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability ESD Rating 2000V HBM Lead Pb -f

Другие MOSFET... ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , IRFP250 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , GM4953 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.