EV3400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EV3400
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 5.2 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 58 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET EV3400
EV3400 Datasheet (PDF)
ev3400.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3400N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 25@ VGS = 10 V,ID=5.8A30V 5.8A 36@ VGS = 4.5 V,ID=5.0A 40@ VGS = 2.5V,ID=4.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3400 Pin Assignment & Symb
ev3401.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3401P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.2A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.53 @ VGS = -10 V,ID=-4.2A-30V -4.2A 64 @ VGS = -4.5V,ID=-4.0A86 @ VGS = -2.5V,ID=-1.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3401 Pin Assignm
ev3404.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EV3404N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ.25 @ VGS = 10 V,ID=5.8A30V 5.8A36@ VGS = 4.5V,ID=4.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3404 Pin Assignment & Symbol3-Lead Plastic SOT-23-
ev3407.pdf
Eternal Semiconductor Inc.EV3407P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP50 @ VGS = -10 V, ID=-4.3A -30V -4.3A63 @ VGS = -4.5V, ID=-3.0AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM O
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