EV3400 Todos los transistores

 

EV3400 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EV3400

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de EV3400 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

EV3400 datasheet

 ..1. Size:582K  eternal
ev3400.pdf pdf_icon

EV3400

Eternal Semiconductor Inc. EV3400 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 25@ VGS = 10 V,ID=5.8A 30V 5.8A 36@ VGS = 4.5 V,ID=5.0A 40@ VGS = 2.5V,ID=4.0A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package Lead Pb -free and halogen-free EV3400 Pin Assignment & Symb

 9.1. Size:623K  eternal
ev3401.pdf pdf_icon

EV3400

Eternal Semiconductor Inc. EV3401 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.2A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 53 @ VGS = -10 V,ID=-4.2A -30V -4.2A 64 @ VGS = -4.5V,ID=-4.0A 86 @ VGS = -2.5V,ID=-1.0A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package Lead Pb -free and halogen-free EV3401 Pin Assignm

 9.2. Size:793K  eternal
ev3404.pdf pdf_icon

EV3400

Eternal Semiconductor Inc. EV3404 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Typ. 25 @ VGS = 10 V,ID=5.8A 30V 5.8A 36@ VGS = 4.5V,ID=4.0A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package Lead Pb -free and halogen-free EV3404 Pin Assignment & Symbol 3-Lead Plastic SOT-23-

 9.3. Size:457K  eternal
ev3407.pdf pdf_icon

EV3400

Eternal Semiconductor Inc. EV3407 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.3A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )TYP 50 @ VGS = -10 V, ID=-4.3A -30V -4.3A 63 @ VGS = -4.5V, ID=-3.0A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM O

Otros transistores... ET6309 , ET6310 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , 2SK3568 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG .

History: RDX060N60FU6 | SWU6N80D | SML120L16 | RUH120N35L

 

 

 


History: RDX060N60FU6 | SWU6N80D | SML120L16 | RUH120N35L

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor

 

 

↑ Back to Top
.