Справочник MOSFET. EV3400

 

EV3400 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: EV3400
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для EV3400

 

 

EV3400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:582K  eternal
 ev3400.pdf

EV3400 EV3400

Eternal Semiconductor Inc. EV3400N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 25@ VGS = 10 V,ID=5.8A30V 5.8A 36@ VGS = 4.5 V,ID=5.0A 40@ VGS = 2.5V,ID=4.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3400 Pin Assignment & Symb

 9.1. Size:623K  eternal
 ev3401.pdf

EV3400 EV3400

Eternal Semiconductor Inc. EV3401P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.2A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.53 @ VGS = -10 V,ID=-4.2A-30V -4.2A 64 @ VGS = -4.5V,ID=-4.0A86 @ VGS = -2.5V,ID=-1.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3401 Pin Assignm

 9.2. Size:793K  eternal
 ev3404.pdf

EV3400 EV3400

Eternal Semiconductor Inc. EV3404N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 5.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ.25 @ VGS = 10 V,ID=5.8A30V 5.8A36@ VGS = 4.5V,ID=4.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV3404 Pin Assignment & Symbol3-Lead Plastic SOT-23-

 9.3. Size:457K  eternal
 ev3407.pdf

EV3400 EV3400

Eternal Semiconductor Inc.EV3407P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.3A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP50 @ VGS = -10 V, ID=-4.3A -30V -4.3A63 @ VGS = -4.5V, ID=-3.0AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM O

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CHM3055LXGP | FDG6318PZ

 

 
Back to Top