EV3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EV3415
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de EV3415 MOSFET
EV3415 Datasheet (PDF)
ev3415.pdf

Eternal Semiconductor Inc.EV3415P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 34 @ VGS = -4.5 V,ID=-4A-20V -4.0A 44 @ VGS = -2.5V,ID=-4A55 @ VGS = -1.5V,ID=-2AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package ESD LeadPb-free and halogen-freeEV3415 Pin Ass
Otros transistores... ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , 2N60 , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG , FIR12N65FG , FIR20N65AFG , FIR2N60ALG .
History: 2SK4151 | FCMT250N65S3 | 2SK824 | 2SK539 | SDF10N100SXH | MEM2301X
History: 2SK4151 | FCMT250N65S3 | 2SK824 | 2SK539 | SDF10N100SXH | MEM2301X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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