EV3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EV3415
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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EV3415 Datasheet (PDF)
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Eternal Semiconductor Inc.EV3415P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 34 @ VGS = -4.5 V,ID=-4A-20V -4.0A 44 @ VGS = -2.5V,ID=-4A55 @ VGS = -1.5V,ID=-2AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package ESD LeadPb-free and halogen-freeEV3415 Pin Ass
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
