EV3415 Todos los transistores

 

EV3415 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EV3415

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: SOT23

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EV3415 datasheet

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EV3415

Eternal Semiconductor Inc. EV3415 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.0A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 34 @ VGS = -4.5 V,ID=-4A -20V -4.0A 44 @ VGS = -2.5V,ID=-4A 55 @ VGS = -1.5V,ID=-2A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package ESD Lead Pb -free and halogen-free EV3415 Pin Ass

Otros transistores... ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , SI2302 , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG , FIR12N65FG , FIR20N65AFG , FIR2N60ALG .

History: SWF6N80D | AOD518 | AOD512

 

 

 


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