EV3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EV3415
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de EV3415 MOSFET
EV3415 Datasheet (PDF)
ev3415.pdf

Eternal Semiconductor Inc.EV3415P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 34 @ VGS = -4.5 V,ID=-4A-20V -4.0A 44 @ VGS = -2.5V,ID=-4A55 @ VGS = -1.5V,ID=-2AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package ESD LeadPb-free and halogen-freeEV3415 Pin Ass
Otros transistores... ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , IRFZ46N , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG , FIR12N65FG , FIR20N65AFG , FIR2N60ALG .
History: IXTH48N15 | GSM8988W | MC08N005S | UPA1952 | P1350ETF
History: IXTH48N15 | GSM8988W | MC08N005S | UPA1952 | P1350ETF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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