Справочник MOSFET. EV3415

 

EV3415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EV3415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для EV3415

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EV3415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  eternal
 ev3415.pdf pdf_icon

EV3415

Eternal Semiconductor Inc.EV3415P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 34 @ VGS = -4.5 V,ID=-4A-20V -4.0A 44 @ VGS = -2.5V,ID=-4A55 @ VGS = -1.5V,ID=-2AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package ESD LeadPb-free and halogen-freeEV3415 Pin Ass

Другие MOSFET... ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , IRFZ46N , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG , FIR12N65FG , FIR20N65AFG , FIR2N60ALG .

 

 
Back to Top

 


 
.