EV3415 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: EV3415
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для EV3415
EV3415 Datasheet (PDF)
ev3415.pdf

Eternal Semiconductor Inc.EV3415P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.0A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 34 @ VGS = -4.5 V,ID=-4A-20V -4.0A 44 @ VGS = -2.5V,ID=-4A55 @ VGS = -1.5V,ID=-2AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package ESD LeadPb-free and halogen-freeEV3415 Pin Ass
Другие MOSFET... ET8205A , ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , 2N60 , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG , FIR12N65FG , FIR20N65AFG , FIR2N60ALG .
History: 3N80G-TF2-T | WSC5N20A | SML100J19 | WMK037N10HGS | PMV65UN | WMM14N65C4 | F5021H
History: 3N80G-TF2-T | WSC5N20A | SML100J19 | WMK037N10HGS | PMV65UN | WMM14N65C4 | F5021H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450