EY4409 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EY4409
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET EY4409
EY4409 Datasheet (PDF)
ey4409.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EY4409P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -14A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 10@ VGS = -10 V, ID=-14A -30V -14A 18@ VGS = -4.5V, ID=-8AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current -5V Logic Level Control LeadP
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Liste
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