EY4409 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EY4409
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de EY4409 MOSFET
EY4409 Datasheet (PDF)
ey4409.pdf

Eternal Semiconductor Inc. EY4409P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -14A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 10@ VGS = -10 V, ID=-14A -30V -14A 18@ VGS = -4.5V, ID=-8AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current -5V Logic Level Control LeadP
Otros transistores... ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , 4N60 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG , FIR12N65FG , FIR20N65AFG , FIR2N60ALG , FIR2N65ABPG .
History: FTK55P30D | 2SK3546J | CRTS084NE6N | OSG60R1K2DF | SPP80N06S2-05 | SSE110N03-03P | SWD80N04V
History: FTK55P30D | 2SK3546J | CRTS084NE6N | OSG60R1K2DF | SPP80N06S2-05 | SSE110N03-03P | SWD80N04V



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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