EY4409 Todos los transistores

 

EY4409 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EY4409
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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EY4409 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:888K  eternal
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EY4409

Eternal Semiconductor Inc. EY4409P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -14A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 10@ VGS = -10 V, ID=-14A -30V -14A 18@ VGS = -4.5V, ID=-8AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current -5V Logic Level Control LeadP

Otros transistores... ET8205B , ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , 7N60 , GM4953 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG , FIR12N65FG , FIR20N65AFG , FIR2N60ALG , FIR2N65ABPG .

History: AUIRFS3607 | IRF4104PBF | 2SK1905 | IXFH28N60P3 | H4946S | IXTT60N20L2 | KHC21025

 

 
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