EY4409 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: EY4409
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
EY4409 Datasheet (PDF)
ey4409.pdf

Eternal Semiconductor Inc. EY4409P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -14A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 10@ VGS = -10 V, ID=-14A -30V -14A 18@ VGS = -4.5V, ID=-8AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current -5V Logic Level Control LeadP
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS | 2SK3117
History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS | 2SK3117



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193