GM4953 Todos los transistores

 

GM4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GM4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

GM4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  eternal
 gm4953.pdf pdf_icon

GM4953

Eternal Semiconductor Inc. GM4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 85 @VGS = -2.5V,ID=-2.0A-20V -4.8A75 @VGS = -4.5V,ID=-4.8AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Ordering information GM4953LeadPb-freeGM4953

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CEF05N6 | AM2336N-T1 | G11 | SMOS44N80 | DMP1096UCB4

 

 
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