GM4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GM4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GM4953

GM4953 Datasheet (PDF)

..1. Size:399K eternal
gm4953.pdf

Eternal Semiconductor Inc. GM4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 85 @VGS = -2.5V,ID=-2.0A-20V -4.8A75 @VGS = -4.5V,ID=-4.8AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Ordering information GM4953LeadPb-freeGM4953

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Liste

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