GM4953 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GM4953
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для GM4953
GM4953 Datasheet (PDF)
gm4953.pdf
Eternal Semiconductor Inc. GM4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP 85 @VGS = -2.5V,ID=-2.0A-20V -4.8A75 @VGS = -4.5V,ID=-4.8AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Ordering information GM4953LeadPb-freeGM4953
Другие MOSFET... ET8818 , EV2315 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , 18N50 , FIR10N60FG , FIR10N65FG , FIR12N60FG , FIR12N65FG , FIR20N65AFG , FIR2N60ALG , FIR2N65ABPG , FIR4N60BPG .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor


