FIR2N65ABPG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR2N65ABPG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 44 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 6.7 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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FIR2N65ABPG Datasheet (PDF)
fir2n65abpg.pdf
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