GP3139 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP3139
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: SOT523
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GP3139 datasheet
gp3139.pdf
GP3139 20V P-Channel MOSFET Product Summary SOT-523 V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 520m @-4.5V -20V 780m @-2.5V -0.66A 950m (TYP)@-1.8V Feature Surface Mount Package Schematic diagram P-Channel Switch with Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive ESD Protected Application Load/Power Switching Interfacing, Logic Switching Bat
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