GP3139 Todos los transistores

 

GP3139 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP3139
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
     - Selección de transistores por parámetros

 

GP3139 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  gp
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GP3139

GP3139 20V P-Channel MOSFET Product Summary SOT-523 V R I (BR)DSS DS(on)MAX D520m@-4.5V -20V 780m@-2.5V -0.66A 950m(TYP)@-1.8V Feature Surface Mount Package Schematic diagram P-Channel Switch with Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive ESD Protected Application Load/Power Switching Interfacing, Logic Switching Bat

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History: BS107KL | WNM3017 | FIR4N60LG | IRF624A | JANSR2N7272 | SMP40N10 | IXFN64N60P

 

 
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