Справочник MOSFET. GP3139

 

GP3139 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP3139
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для GP3139

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP3139 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  gp
 gp3139.pdf pdf_icon

GP3139

GP3139 20V P-Channel MOSFET Product Summary SOT-523 V R I (BR)DSS DS(on)MAX D520m@-4.5V -20V 780m@-2.5V -0.66A 950m(TYP)@-1.8V Feature Surface Mount Package Schematic diagram P-Channel Switch with Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive ESD Protected Application Load/Power Switching Interfacing, Logic Switching Bat

Другие MOSFET... AS3423B , 2N7002HW , 2N7002HT , 2N7002HL , BL2302 , BL2305 , GP2301 , GP2302 , MMD60R360PRH , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 .

History: UPA2718GR | SST70R1K2S2E | SIR422DP-T1-GE3 | WM06N03FB | IRFBA1404P | SJMN380R80ZB | SI1539CDL-T1

 

 
Back to Top

 


 
.