GP3139 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP3139
Маркировка: 39K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: SOT523
GP3139 Datasheet (PDF)
gp3139.pdf
GP3139 20V P-Channel MOSFET Product Summary SOT-523 V R I (BR)DSS DS(on)MAX D520m@-4.5V -20V 780m@-2.5V -0.66A 950m(TYP)@-1.8V Feature Surface Mount Package Schematic diagram P-Channel Switch with Low RDS(on) Operated at Low Logic Level Gate Drive ESD Protected Application Load/Power Switching Interfacing, Logic Switching Bat
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918