SMD2N65 Todos los transistores

 

SMD2N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMD2N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SMD2N65 Datasheet (PDF)

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SMD2N65

SMD2N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 2.0A, 650V, R =4.5@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Otros transistores... BL2305 , GP2301 , GP2302 , GP3139 , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , IRFP064N , SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 .

History: IRLU9343-701 | SUP40N10-30 | TDM3307A | RQJ0602EGDQS | SUP50N03-5M1P | SUP60N06-12P | WSF40P06

 

 
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