SMD2N65 - описание и поиск аналогов

 

SMD2N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMD2N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SMD2N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMD2N65 даташит

 ..1. Size:892K  huake
 smd2n65.pdf pdf_icon

SMD2N65

SMD2N65 650V N-Channnel MOSFET Features 2.0A, 650V, R =4.5 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... BL2305 , GP2301 , GP2302 , GP3139 , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , IRFP064N , SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.