Справочник MOSFET. SMD2N65

 

SMD2N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMD2N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SMD2N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMD2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:892K  huake
 smd2n65.pdf pdf_icon

SMD2N65

SMD2N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 2.0A, 650V, R =4.5@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... BL2305 , GP2301 , GP2302 , GP3139 , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , 5N50 , SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.