SMF10N60 Todos los transistores

 

SMF10N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMF10N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SMF10N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SMF10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  huake
 smf10n60.pdf pdf_icon

SMF10N60

SMF10N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 10.0A, 600V, R =0.75@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Va

 7.1. Size:901K  huake
 smf10n65.pdf pdf_icon

SMF10N60

SMF10N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 10.0A, 650V, R =0.80@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Va

Otros transistores... GP3139 , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 , SMD7N65 , IRFZ44N , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 .

History: SI3401 | FDMS8018 | AO6414 | JFAM20N50D | DH020N03B | IRFIZ34NPBF | PSMG60-08

 

 
Back to Top

 


 
.