SMF10N60 - описание и поиск аналогов

 

SMF10N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMF10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SMF10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF10N60 даташит

 ..1. Size:900K  huake
 smf10n60.pdf pdf_icon

SMF10N60

SMF10N60 600V N-Channnel MOSFET Features 10.0A, 600V, R =0.75 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Va

 7.1. Size:901K  huake
 smf10n65.pdf pdf_icon

SMF10N60

SMF10N65 650V N-Channnel MOSFET Features 10.0A, 650V, R =0.80 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Va

Другие MOSFET... GP3139 , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 , SMD7N65 , IRFZ44N , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 .

History: CPH3459 | BTS140A | DN3135 | IGT60R070D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.