SMF12N60 Todos los transistores

 

SMF12N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMF12N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SMF12N60 datasheet

 ..1. Size:800K  huake
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SMF12N60

SMF12N60 600V N-Channnel MOSFET Features 12.0A, 600V, R =0.63 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Va

 7.1. Size:801K  huake
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SMF12N60

SMF12N65 650V N-Channnel MOSFET Features 12.0A, 650V, R =0.71 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Va

Otros transistores... HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , IRF740 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 .

History: FDMC8882 | IXFE48N50Q | FQA28N50 | WM03N86M2

 

 

 

 

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