Справочник MOSFET. SMF12N60

 

SMF12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMF12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SMF12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:800K  huake
 smf12n60.pdf pdf_icon

SMF12N60

SMF12N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 12.0A, 600V, R =0.63@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Va

 7.1. Size:801K  huake
 smf12n65.pdf pdf_icon

SMF12N60

SMF12N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 12.0A, 650V, R =0.71@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Va

Другие MOSFET... HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , IRF740 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 .

History: PTY80N06 | IRFS150 | OSG55R092FF | FDD86369-F085 | STL17N3LLH6 | SWI1N55D | SPB100N06S2L-05

 

 
Back to Top

 


 
.