SMF7N60 Todos los transistores

 

SMF7N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMF7N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de SMF7N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SMF7N60 datasheet

 ..1. Size:866K  huake
 smf7n60.pdf pdf_icon

SMF7N60

SMF7N60 600V N-Channnel MOSFET Features 7.0A, 600V, R =1.0 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

 8.1. Size:885K  huake
 smf7n65.pdf pdf_icon

SMF7N60

SMF7N65 650V N-Channnel MOSFET Features 7.0A, 650V, R =1.2 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Otros transistores... SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , IRFB4110 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 .

History: APT5010LLLG | RU1E002SP | XP161A1265PR-G | 2SK2551 | AOW10N60 | G18N20K | SMNY2Z30

 

 

 

 

↑ Back to Top
.