Справочник MOSFET. SMF7N60

 

SMF7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMF7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SMF7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  huake
 smf7n60.pdf pdf_icon

SMF7N60

SMF7N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 7.0A, 600V, R =1.0@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

 8.1. Size:885K  huake
 smf7n65.pdf pdf_icon

SMF7N60

SMF7N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 7.0A, 650V, R =1.2@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , IRF640N , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 .

History: WM10N33M | TK19H50C

 

 
Back to Top

 


 
.