SMT5N60 Todos los transistores

 

SMT5N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMT5N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SMT5N60 Datasheet (PDF)

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SMT5N60

SMT5N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 5.0A, 600V, R =1.9@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Otros transistores... SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , IRFB4227 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 .

History: SI7386DP | IRFR214PBF | SRT04N016L | SSFD3004 | IPLU300N04S4-R8

 

 
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