Справочник MOSFET. SMT5N60

 

SMT5N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMT5N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SMT5N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMT5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:942K  huake
 smt5n60.pdf pdf_icon

SMT5N60

SMT5N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 5.0A, 600V, R =1.9@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , IRFB4227 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 .

History: RU30L30M | IRL3705NLPBF | TMAN20N50 | SWD5N65K | SJMN600R70I | SNN3100L15Q | NTS4172NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.