1H05 Todos los transistores

 

1H05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1H05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.234 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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1H05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1998K  haolin elec
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1H05

SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors N-Channel MOSFET 1H05ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 234m@10V100V 247m@6V5A1. GATE 258m@4.5V 2. SOURCE 3. DRAINFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converters Low RDS(ON) Load Switch Surface Mount Package LED Backlighting in LCD TVs MA

 0.1. Size:87K  fairchild semi
 ka1h0565r ka1m0565r.pdf pdf_icon

1H05

www.fairchildsemi.comKA1M0565R/KA1H0565RFairchild Power Switch(FPS)Features Description Precision fixed operating frequency The Fairchild Power Switch(FPS) product family is specially KA1M0565R (67KHz),KA1H0565R (100KHz) designed for an off-line SMPS with minimal external Pulse by pulse over current limiting components. The Fairchild Power Switch(FPS) consist of Over

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