1H05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1H05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.234 Ohm
Encapsulados: SOT23
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1H05 datasheet
1h05.pdf
SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors N-Channel MOSFET 1H05 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 234m @10V 100V 247m @6V 5A 1. GATE 258m @4.5V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converters Low RDS(ON) Load Switch Surface Mount Package LED Backlighting in LCD TVs MA
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History: RUF025N02 | SUD23N06-31
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