1H05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 1H05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.8(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 39(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.234 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 1H05

1H05 Datasheet (PDF)

..1. Size:1998K haolin elec
1h05.pdf

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ka1h0565r ka1m0565r.pdf

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Liste

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