1H05 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 1H05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.234 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для 1H05
1H05 Datasheet (PDF)
1h05.pdf
SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors N-Channel MOSFET 1H05ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 234m@10V100V 247m@6V5A1. GATE 258m@4.5V 2. SOURCE 3. DRAINFEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET DC/DC Converters Low RDS(ON) Load Switch Surface Mount Package LED Backlighting in LCD TVs MA
ka1h0565r ka1m0565r.pdf
www.fairchildsemi.comKA1M0565R/KA1H0565RFairchild Power Switch(FPS)Features Description Precision fixed operating frequency The Fairchild Power Switch(FPS) product family is specially KA1M0565R (67KHz),KA1H0565R (100KHz) designed for an off-line SMPS with minimal external Pulse by pulse over current limiting components. The Fairchild Power Switch(FPS) consist of Over
Другие MOSFET... SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , IRFB4115 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 .
History: HM18N40A | SVSP14N65FJDD2
History: HM18N40A | SVSP14N65FJDD2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet



