HA25N50 Todos los transistores

 

HA25N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HA25N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 183 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de HA25N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HA25N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4359K  haolin elec
 ha25n50.pdf pdf_icon

HA25N50

HA25N50500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 VContinuous Drai

 0.1. Size:164K  vishay
 siha25n50e.pdf pdf_icon

HA25N50

SiHA25N50Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.145 Reduced switching and conduction lossesQg (Max.) (nC) 86 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 14Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS)Config

Otros transistores... SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , IRF630 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A .

History: TMPF12N60A | JMTP250P03A | HA9N90 | IRLU3303PBF | IPP60R280P7 | AO4290A | IRLR2703PBF

 

 
Back to Top

 


 
.