HA25N50 - описание и поиск аналогов

 

HA25N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HA25N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HA25N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HA25N50 даташит

 ..1. Size:4359K  haolin elec
 ha25n50.pdf pdf_icon

HA25N50

HA25N50 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise noted C, Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 V Continuous Drai

 0.1. Size:164K  vishay
 siha25n50e.pdf pdf_icon

HA25N50

SiHA25N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.145 Reduced switching and conduction losses Qg (Max.) (nC) 86 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 14 Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS) Config

Другие MOSFET... SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , IRF630 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A .

History: RUM002N02 | 2SK1562 | MMN600DB012B | IAUC100N04S6N022 | KCY3303S | MS5N100S | RUL035N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.