Справочник MOSFET. HA25N50

 

HA25N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HA25N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HA25N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HA25N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4359K  haolin elec
 ha25n50.pdf pdf_icon

HA25N50

HA25N50500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 VContinuous Drai

 0.1. Size:164K  vishay
 siha25n50e.pdf pdf_icon

HA25N50

SiHA25N50Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.145 Reduced switching and conduction lossesQg (Max.) (nC) 86 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 14Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS)Config

Другие MOSFET... SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , 7N65 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A .

 

 
Back to Top

 


 
.