HA9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HA9N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de HA9N90 MOSFET
HA9N90 Datasheet (PDF)
ha9n90.pdf
Apr 2009BVDSS = 900 VRDS(on) typ 5 HA9N90ID = 9.0 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)
Otros transistores... SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , K3569 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 .
History: FCP104N60F | TSM900N06CH | SL05N10A | HRLO110N03K | FS30ASJ-2 | JFPC8N80C | IRFP350CF
History: FCP104N60F | TSM900N06CH | SL05N10A | HRLO110N03K | FS30ASJ-2 | JFPC8N80C | IRFP350CF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g