HA9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HA9N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de HA9N90 MOSFET
HA9N90 Datasheet (PDF)
ha9n90.pdf
Apr 2009BVDSS = 900 VRDS(on) typ 5 HA9N90ID = 9.0 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)
Otros transistores... SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , K3569 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 .
History: SWP3205 | FTD04N65C | SRT08N025HC56TR-G | 2SK1582 | NTR4170NT1G | KML0D4N20TV
History: SWP3205 | FTD04N65C | SRT08N025HC56TR-G | 2SK1582 | NTR4170NT1G | KML0D4N20TV
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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