HA9N90 Todos los transistores

 

HA9N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HA9N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO3P

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HA9N90 datasheet

 ..1. Size:1559K  haolin elec
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HA9N90

Apr 2009 BVDSS = 900 V RDS(on) typ 5 HA9N90 ID = 9.0 A 900V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

 0.1. Size:1426K  feihonltd
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HA9N90

D

Otros transistores... SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , IRF9540 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

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