HA9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HA9N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de HA9N90 MOSFET
HA9N90 Datasheet (PDF)
ha9n90.pdf
Apr 2009BVDSS = 900 VRDS(on) typ 5 HA9N90ID = 9.0 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)
Otros transistores... SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , AO3400 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 .
History: 2SK956 | AOI4T60 | 2SJ130 | IRFP244PBF | CM13N50F | CM18N20 | APTM50AM38SCTG
History: 2SK956 | AOI4T60 | 2SJ130 | IRFP244PBF | CM13N50F | CM18N20 | APTM50AM38SCTG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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