HA9N90. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HA9N90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для HA9N90
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HA9N90 даташит
ha9n90.pdf
Apr 2009 BVDSS = 900 V RDS(on) typ 5 HA9N90 ID = 9.0 A 900V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)
Другие MOSFET... SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , IRF9540 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 .
History: HU830U | G2003A | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | JMSH0606PGD | HD60N75
History: HU830U | G2003A | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | JMSH0606PGD | HD60N75
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g