Справочник MOSFET. HA9N90

 

HA9N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HA9N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HA9N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HA9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1559K  haolin elec
 ha9n90.pdf pdf_icon

HA9N90

Apr 2009BVDSS = 900 VRDS(on) typ 5 HA9N90ID = 9.0 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

 0.1. Size:1426K  feihonltd
 fha9n90d.pdf pdf_icon

HA9N90

D

Другие MOSFET... SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , K3569 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 .

History: SIR846DP | CI60N120SM | IRF9Z14L | GSM4248W | SML5030HN

 

 
Back to Top

 


 
.