HP100N08 Todos los transistores

 

HP100N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HP100N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

HP100N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4136K  haolin elec
 hb100n08 hp100n08.pdf pdf_icon

HP100N08

HB100N08 \HP100N08N-Channel Trench Power MOSFET General Description -channel 100N08 is N MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=100A@VGS=10V; RDS(ON)

 0.1. Size:259K  feihonltd
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HP100N08

 7.1. Size:767K  feihonltd
 fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf pdf_icon

HP100N08

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 7.2. Size:1909K  feihonltd
 fhp100n07a.pdf pdf_icon

HP100N08

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History: IXTP50N28T

 

 
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