HP100N08 Todos los transistores

 

HP100N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HP100N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm

Encapsulados: TO220

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HP100N08 datasheet

 ..1. Size:4136K  haolin elec
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HP100N08

HB100N08 HP100N08 N-Channel Trench Power MOSFET General Description -channel 100N08 is N MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=100A@ VGS=10V; RDS(ON)

 0.1. Size:259K  feihonltd
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HP100N08

 7.1. Size:767K  feihonltd
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HP100N08

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 7.2. Size:1909K  feihonltd
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HP100N08

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History: AP01L60H-HF | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | HU30N03 | SWD070R08E7T | HCD90R1K0

 

 

 

 

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