Справочник MOSFET. HP100N08

 

HP100N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HP100N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HP100N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4136K  haolin elec
 hb100n08 hp100n08.pdf pdf_icon

HP100N08

HB100N08 \HP100N08N-Channel Trench Power MOSFET General Description -channel 100N08 is N MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=100A@VGS=10V; RDS(ON)

 0.1. Size:259K  feihonltd
 fhp100n08a.pdf pdf_icon

HP100N08

 7.1. Size:767K  feihonltd
 fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf pdf_icon

HP100N08

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 7.2. Size:1909K  feihonltd
 fhp100n07a.pdf pdf_icon

HP100N08

6 6 90

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFK44N60 | RJK1212DNS | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | FIR4N70FG

 

 
Back to Top

 


 
.