HP100N08 - описание и поиск аналогов

 

HP100N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HP100N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 82 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HP100N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HP100N08 даташит

 ..1. Size:4136K  haolin elec
 hb100n08 hp100n08.pdf pdf_icon

HP100N08

HB100N08 HP100N08 N-Channel Trench Power MOSFET General Description -channel 100N08 is N MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=100A@ VGS=10V; RDS(ON)

 0.1. Size:259K  feihonltd
 fhp100n08a.pdf pdf_icon

HP100N08

 7.1. Size:767K  feihonltd
 fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf pdf_icon

HP100N08

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 7.2. Size:1909K  feihonltd
 fhp100n07a.pdf pdf_icon

HP100N08

6 6 90

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , 2SK3878 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 .

History: HP3710P | HX3400 | ET8205 | AOWF12N50 | MMD65R900QRH | KIA2906A-220 | SVF10N65T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.