HB3510P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HB3510P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 82 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 608 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HB3510P
HB3510P Datasheet (PDF)
hb3510p hp3510p.pdf
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HB3510P,HP3510P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche testedTO-263TO-220 Improved dv/dt capability211APPLICATIONS 3231.Gate 2. Drain 3. Source Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym
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